IPA95R1K2P7 - Транзистори з каналом N THT

IPA95R1K2P7
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 950В; 3,7А; 27Вт; TO220FP; ESD

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 950В
Струм стока 3,7А
Потужність розсіювання 27Вт
Корпус TO220FP
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 1,2Ом
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 15нКл
Модель ESD
Технологія CoolMOS™ P7
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat