IPA80R1K0CEXKSA2 - Транзистори з каналом N THT

IPA80R1K0CEXKSA2
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,6А; Idm: 18А; 32Вт; TO220FP

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж THT
Корпус TO220FP
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 800В
Струм стока 3,6А
Напруга затвор-джерело ±20В
Заряд затвора 31нКл
Опір в стані провідності 0,95Ом
Струм стоку в імпульсі 18А
Потужність розсіювання 32Вт
Технологія CoolMOS™ CE
Вид упаковки туба
Тип транзистора N-MOSFET
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat