IPA083N10NM5SXKSA1 - Транзистори з каналом N THT

IPA083N10NM5SXKSA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; Idm: 200А; 36Вт; TO220FP

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія OptiMOS™ 3
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 35А
Потужність розсіювання 36Вт
Корпус TO220FP
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 8,3мОм
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Струм стоку в імпульсі 200А
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat