IKB20N65EH5ATMA1 - Транзистори IGBT SMD

IKB20N65EH5ATMA1
Опис

Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж SMD
Технологія TRENCHSTOP™ 5
Час ввімкнення 40нс
Заряд затвора 48нКл
Час вимкнення 183нс
Струм колектора 25А
Напруга затвор - емітер ±20В
Струм колектора в імпульсі 60А
Потужність розсіювання 62,5Вт
Напруги колектор-емітер 650В
Вид упаковки cтрічка
ролик
Корпус D2PAK
Тип транзистора IGBT
Властивості напівпровідникових елементів integrated anti-parallel diode
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat