IKB20N65EH5ATMA1 - Транзистори IGBT SMD

IKB20N65EH5ATMA1
Опис

Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора IGBT
Технологія TRENCHSTOP™ 5
Напруги колектор-емітер 650В
Струм колектора 25А
Потужність розсіювання 62,5Вт
Корпус D2PAK
Напруга затвор - емітер ±20В
Струм колектора в імпульсі 60А
Монтаж SMD
Заряд затвора 48нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Час ввімкнення 40нс
Час вимкнення 183нс
Властивості напівпровідникових елементів integrated anti-parallel diode
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat