HIP2100IBZ - Драйвери MOSFET/IGBT

HIP2100IBZ
Опис

IC: driver; півмісток MOSFET; SO8; -2÷2А; Ch: 2; 9÷14ВDC; 100В

Характеристики
Виробник RENESAS
Тип інтегральної мікросхеми driver
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів MOSFET
Напруга живлення 9...14В DC
Корпус SO8
Робоча температура -40...125°C
Монтаж SMD
Кількість каналів 2
Вид упаковки туба
Вид виходу що не інвертує
Вихідний струм -2...2А
клас напруги 100В
Топологія півмісток MOSFET
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat