GD35PJY120L3S - Модулі IGBT

GD35PJY120L3S
  • Категорія: Модулі IGBT
  • Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
  • Назва у виробника: GD35PJY120L3S
Опис

Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А

Характеристики
Виробник STARPOWER SEMICONDUCTOR
Тип напівпровідникового модуля IGBT
Структура напівпровідника діод/транзистор
Топологія 3-фазни діодний міст
3-фазний міст IGBT вихід OE
boost chopper
термістор NTC
Зворотна напруга макс. 1,2кВ
Струм колектора 35А
Корпус L3.0
Електричний монтаж Press-in PCB
Напруга затвор - емітер ±20В
Струм колектора в імпульсі 70А
Технологія Advanced Trench FS IGBT
Механічний монтаж пригвинчуваний
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat