FQPF3N80C - Транзистори з каналом N THT

FQPF3N80C
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,9А; 39Вт; TO220FP

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія QFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 800В
Струм стока 1,9А
Потужність розсіювання 39Вт
Корпус TO220FP
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 4,8Ом
Монтаж THT
Заряд затвора 16,5нКл
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat