FQD5P20TM - Транзистори з каналом P SMD

FQD5P20TM
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,34А; 45Вт; DPAK

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -200В
Струм стока -2,34А
Потужність розсіювання 45Вт
Корпус DPAK
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 1,4Ом
Монтаж SMD
Заряд затвора 13нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія QFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat