FQD3P50TM - Транзистори з каналом P SMD

FQD3P50TM
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -500В; -1,33А; 50Вт; DPAK

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -500В
Струм стока -1,33А
Потужність розсіювання 50Вт
Корпус DPAK
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 4,9Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 23нКл
Технологія QFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat