FQAF11N90C - Транзистори з каналом N THT

FQAF11N90C
Опис

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 120W; TO3PF

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 900В
Струм стока 4,4А
Потужність розсіювання 120Вт
Корпус TO3PF
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 1,1Ом
Монтаж THT
Заряд затвора 80нКл
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Технологія QFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat