FP15R12W1T4B3 - Модулі IGBT

FP15R12W1T4B3
  • Категорія: Модулі IGBT
  • Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
  • Назва у виробника: FP15R12W1T4_B3
Опис

Модуль: IGBT; діод/транзистор; 3-фазни діодний міст; Urmax: 1,2кВ

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Електричний монтаж Press-in PCB
Структура напівпровідника діод/транзистор
Механічний монтаж пригвинчуваний
Струм колектора в імпульсі 30А
Напруга затвор - емітер ±20В
Потужність розсіювання 130Вт
Зворотна напруга макс. 1,2кВ
Струм колектора 15А
Топологія 3-фазни діодний міст
3-фазний міст IGBT
термістор NTC
Корпус AG-EASY1B-1
Технологія EasyPIM™ 1B
Тип напівпровідникового модуля IGBT
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat