FGH50T65UPD - Транзистори IGBT THT

FGH50T65UPD
Опис

Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора IGBT
Напруги колектор-емітер 650В
Струм колектора 50А
Потужність розсіювання 170Вт
Корпус TO247-3
Напруга затвор - емітер ±20В
Струм колектора в імпульсі 150А
Монтаж THT
Заряд затвора 230нКл
Вид упаковки туба
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat