FF45MR12W1M1B11 - Транзисторні модулі MOSFET

FF45MR12W1M1B11
Опис

Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 25А; AG-EASY1BM-2; Idm: 50А

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Технологія CoolSiC™
SiC
Структура напівпровідника транзистор/транзистор
Корпус AG-EASY1BM-2
Топологія півмісток MOSFET
термістор NTC
Поляризація польовий
Механічний монтаж пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело -10...20В
Опір в стані провідності 45мОм
Струм стока 25А
Струм стоку в імпульсі 50А
Напруга сток-джерело 1,2кВ
Електричний монтаж Press-Fit
Тип напівпровідникового модуля транзисторний MOSFET
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat