FF200R17KE4 - Модулі IGBT

FF200R17KE4
  • Категорія: Модулі IGBT
  • Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
  • Назва у виробника: FF200R17KE4HOSA1
Опис

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,7кВ

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Електричний монтаж пригвинчуваний
Структура напівпровідника транзистор/транзистор
Механічний монтаж пригвинчуваний
Струм колектора в імпульсі 400А
Напруга затвор - емітер ±20В
Потужність розсіювання 1,25кВт
Зворотна напруга макс. 1,7кВ
Струм колектора 200А
Топологія півмісток IGBT
Корпус AG-62MM-1
Тип напівпровідникового модуля IGBT
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat