FDS9958 - Транзистори багатоканальні

FDS9958
Опис

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -2,9А; 2Вт; SO8

Характеристики
Виробник ONSEMI
Корпус SO8
Тип транзистора P-MOSFET x2
Технологія PowerTrench®
Монтаж SMD
Поляризація польовий
Вид каналу збагачений
Напруга сток-джерело -60В
Струм стока -2,9А
Заряд затвора 23нКл
Опір в стані провідності 0,19Ом
Потужність розсіювання 2Вт
Напруга затвор-джерело ±20В
Вид упаковки cтрічка
ролик
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat