FDS8880 - Транзистори з каналом N SMD

FDS8880
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 11,6А
Потужність розсіювання 2,5Вт
Корпус SO8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 16,3мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія PowerTrench®
Заряд затвора 30нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat