FDS6375 - Транзистори з каналом P SMD

FDS6375
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -8А; 2,5Вт; SO8

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -20В
Струм стока -8А
Потужність розсіювання 2,5Вт
Корпус SO8
Напруга затвор-джерело ±8В
Опір в стані провідності 39мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 36нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія PowerTrench®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat