FDS4465 - Транзистори з каналом P SMD

FDS4465
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -13,5А; 2,5Вт; SO8

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -20В
Струм стока -13,5А
Потужність розсіювання 2,5Вт
Корпус SO8
Напруга затвор-джерело ±8В
Опір в стані провідності 10,5мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія PowerTrench®
Заряд затвора 0,12мкКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat