FDS4435BZ - Транзистори з каналом P SMD

FDS4435BZ
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -8,8А; 2,5Вт; SO8

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -30В
Струм стока -8,8А
Потужність розсіювання 2,5Вт
Корпус SO8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 35мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 40нКл
Технологія PowerTrench®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat