FDN5618P - Транзистори з каналом P SMD

FDN5618P
Опис

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.25A; 0.46W; SuperSOT-3

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора P-MOSFET
Технологія PowerTrench®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -60В
Струм стока -1,25А
Потужність розсіювання 0,46Вт
Корпус SuperSOT-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,23Ом
Монтаж SMD
Заряд затвора 13,8нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Властивості напівпровідникових елементів logic level
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat