FDN5618P - Транзистори з каналом P SMD

FDN5618P
Опис

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.25A; 0.46W; SuperSOT-3

Характеристики
Виробник ONSEMI
Монтаж SMD
Властивості напівпровідникових елементів logic level
Тип транзистора P-MOSFET
Технологія PowerTrench®
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Струм стока -1,25А
Напруга сток-джерело -60В
Заряд затвора 13,8нКл
Опір в стані провідності 0,23Ом
Потужність розсіювання 0,46Вт
Напруга затвор-джерело ±20В
Вид упаковки cтрічка
ролик
Корпус SuperSOT-3
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat