FDN357N - Транзистори з каналом N SMD

FDN357N
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 1,9А
Потужність розсіювання 0,5Вт
Корпус SuperSOT-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,14Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Властивості напівпровідникових елементів logic level
Технологія PowerTrench®
Заряд затвора 5,9нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat