FDN352AP - Транзистори з каналом P SMD

FDN352AP
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,3А; 0,5Вт; SuperSOT-3

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -30В
Струм стока -1,3А
Потужність розсіювання 0,5Вт
Корпус SuperSOT-3
Напруга затвор-джерело ±25В
Опір в стані провідності 0,4Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 1,9нКл
Технологія PowerTrench®
Властивості напівпровідникових елементів logic level
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat