FDN337N - Транзистори з каналом N SMD

FDN337N
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

Характеристики
Виробник ONSEMI
Монтаж SMD
Корпус SuperSOT-3
Потужність розсіювання 0,5Вт
Напруга затвор-джерело ±8В
Напруга сток-джерело 30В
Вид упаковки cтрічка
ролик
Технологія PowerTrench®
Властивості напівпровідникових елементів logic level
Тип транзистора N-MOSFET
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Заряд затвора 9нКл
Опір в стані провідності 80мОм
Струм стока 2,2А
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat