FDN308P - Транзистори з каналом P SMD

FDN308P
Опис

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; SuperSOT-3

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора P-MOSFET
Технологія PowerTrench®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -20В
Струм стока -1,5А
Потужність розсіювання 0,5Вт
Корпус SuperSOT-3
Напруга затвор-джерело ±12В
Опір в стані провідності 0,19Ом
Монтаж SMD
Заряд затвора 5,4нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Властивості напівпровідникових елементів logic level
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat