FDN302P - Транзистори з каналом P SMD

FDN302P
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SuperSOT-3

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -20В
Струм стока -2,4А
Потужність розсіювання 0,5Вт
Корпус SuperSOT-3
Напруга затвор-джерело ±12В
Опір в стані провідності 84мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія PowerTrench®
Властивості напівпровідникових елементів logic level
Заряд затвора 14нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat