FDMA530PZ - Транзистори з каналом P SMD

FDMA530PZ
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

Характеристики
Виробник ONSEMI
Монтаж SMD
Корпус MicroFET
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -30В
Струм стока -6,8А
Заряд затвора 11нКл
Опір в стані провідності 65мОм
Потужність розсіювання 2,4Вт
Напруга затвор-джерело ±25В
Вид упаковки cтрічка
ролик
Тип транзистора P-MOSFET
Технологія PowerTrench®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat