FDD86367 - Транзистори з каналом N SMD

FDD86367
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 100А; 227Вт; DPAK

Характеристики
Виробник ONSEMI
Технологія PowerTrench®
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Заряд затвора 88нКл
Опір в стані провідності 8,4мОм
Струм стока 100А
Напруга затвор-джерело ±20В
Потужність розсіювання 227Вт
Напруга сток-джерело 80В
Вид упаковки cтрічка
ролик
Корпус DPAK
Тип транзистора N-MOSFET
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat