FDD4685 - Транзистори з каналом P SMD

FDD4685
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -32А; 69Вт; DPAK

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -40В
Струм стока -32А
Потужність розсіювання 69Вт
Корпус DPAK
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 42мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 27нКл
Технологія PowerTrench®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat