FDC658P - Транзистори з каналом P SMD

FDC658P
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1,6Вт; SuperSOT-6

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора P-MOSFET
Технологія PowerTrench®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -30В
Струм стока -4А
Потужність розсіювання 1,6Вт
Корпус SuperSOT-6
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 80мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 12нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat