FDB5800 - Транзистори з каналом N SMD

FDB5800
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 60В
Струм стока 80А
Потужність розсіювання 242Вт
Корпус D2PAK
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 12,6мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 135нКл
Технологія PowerTrench®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat