FDB44N25TM - Транзистори з каналом N SMD

FDB44N25TM
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 307Вт; D2PAK

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 250В
Струм стока 26,4А
Потужність розсіювання 307Вт
Корпус D2PAK
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 69мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 61нКл
Технологія UniFET™
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat