F4150R12KS4BOSA1 - Модулі IGBT

F4150R12KS4BOSA1
  • Категорія: Модулі IGBT
  • Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
  • Назва у виробника: F4150R12KS4BOSA1
Опис

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; 960W

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Технологія EconoPACK™ 3
Потужність розсіювання 960Вт
Корпус AG-ECONO3-4
Електричний монтаж Press-in PCB
Топологія півмісток IGBT x2
термістор NTC
Механічний монтаж пригвинчуваний
Структура напівпровідника транзистор/транзистор
Струм колектора 150А
Напруга затвор - емітер ±20В
Струм колектора в імпульсі 300А
Зворотна напруга макс. 1,2кВ
Тип напівпровідникового модуля IGBT
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat