Додано в корзину
Переглянути корзину
Модуль; одиночний транзистор; 850В; 110А; SOT227B; пригвинчуваний
| Виробник |
IXYS |
| Технологія |
HiPerFET™ X-Class |
| Корпус |
SOT227B |
| Електричний монтаж |
пригвинчуваний |
| Вид каналу |
збагачений |
| Поляризація |
польовий |
| Структура напівпровідника |
одиночний транзистор |
| Механічний монтаж |
пригвинчуваний |
| Тип напівпровідникового модуля |
транзисторний MOSFET |
| Напруга затвор-джерело |
±40В |
| Час готовності |
205нс |
| Заряд затвора |
425нКл |
| Опір в стані провідності |
33мОм |
| Струм стока |
110А |
| Струм стоку в імпульсі |
220А |
| Напруга сток-джерело |
850В |
| Потужність розсіювання |
1170Вт |