DAMI280N200-DCO - Транзисторні модулі MOSFET

DAMI280N200-DCO
Опис

Модуль; одиночний транзистор; 200В; 210А; SOT227B; пригвинчуваний

Характеристики
Виробник DACO Semiconductor
Тип напівпровідникового модуля транзисторний MOSFET
Структура напівпровідника одиночний транзистор
Напруга сток-джерело 200В
Струм стока 210А
Корпус SOT227B
Електричний монтаж пригвинчуваний
Поляризація польовий
Опір в стані провідності 6мОм
Струм стоку в імпульсі 850А
Потужність розсіювання 800Вт
Напруга затвор-джерело -20...20В
Робоча температура -55...150°C
Механічний монтаж пригвинчуваний
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat