AS4C4M16SA-6TIN - Пристрої пам'яті DRAM - інтеграль. схеми

AS4C4M16SA-6TIN
Опис

IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4с; TSOP54 II

Характеристики
Виробник ALLIANCE MEMORY
Монтаж SMD
Робоча температура -40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу паралельний
Час доступу 5,4нс
Робоча напруга 3,3В
Пам'ять 64Мб DRAM
Структура пам'яті 4Mx16бит
Тактова частота 166МГц
Вид упаковки лоток
Вид пам’яті SDRAM
Корпус TSOP54 II
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat