TP2104N3-G - Транзистори з каналом P THT

TP2104N3-G
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -175мА; Idm: -1А; 740мВт; TO92

Характеристики
Виробник MICROCHIP TECHNOLOGY
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -40В
Струм стока -175мА
Струм стоку в імпульсі -1А
Потужність розсіювання 0,74Вт
Корпус TO92
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 6Ом
Монтаж THT
Вид упаковки розсипний
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat