IRF5210PBF - Транзистори з каналом P THT

IRF5210PBF
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -40А; 200Вт; TO220AB

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Вид упаковки туба
Корпус TO220AB
Технологія HEXFET®
Тип транзистора P-MOSFET
Монтаж THT
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -100В
Струм стока -40А
Заряд затвора 0,12мкКл
Опір в стані провідності 60мОм
Потужність розсіювання 200Вт
Напруга затвор-джерело ±20В
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat