IRFB4110PBF - Транзистори з каналом N THT

IRFB4110PBF
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 130А; 370Вт; TO220AB

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Вид упаковки туба
Напруга затвор-джерело ±20В
Заряд затвора 150нКл
Струм стока 130А
Опір в стані провідності 4,5мОм
Потужність розсіювання 370Вт
Напруга сток-джерело 100В
Технологія HEXFET®
Тип транзистора N-MOSFET
Корпус TO220AB
Монтаж THT
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat