BSS123-FAI - Транзистори з каналом N SMD

BSS123-FAI
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,36Вт; SOT23

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 0,17А
Потужність розсіювання 0,36Вт
Корпус SOT23
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 12Ом
Монтаж SMD
Заряд затвора 2,5нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Властивості напівпровідникових елементів logic level
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat