IRF7342TRPBF - Транзистори багатоканальні

IRF7342TRPBF
Опис

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора P-MOSFET x2
Технологія HEXFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -55В
Струм стока -3,4А
Потужність розсіювання 2Вт
Корпус SO8
Монтаж SMD
Вид упаковки ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat