FDS4935BZ - Транзистори багатоканальні

FDS4935BZ
Опис

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора P-MOSFET x2
Технологія PowerTrench®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -30В
Струм стока -6,9А
Потужність розсіювання 1,6Вт
Корпус SO8
Напруга затвор-джерело ±25В
Опір в стані провідності 35мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 40нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat