SKIIP12NAB12T4V1 - Модулі IGBT

SKIIP12NAB12T4V1
  • Категорія: Модулі IGBT
  • Виробник: SEMIKRON DANFOSS
  • Назва у виробника: SKIIP 12NAB12T4V1 25231440
Опис

Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ; Ic: 15А

Характеристики
Виробник SEMIKRON DANFOSS
Тип напівпровідникового модуля IGBT
Структура напівпровідника діод/транзистор
Топологія 3-фазни діодний міст
3-фазний міст IGBT
boost chopper
термістор NTC
Зворотна напруга макс. 1,6кВ
Струм колектора 15А
Потужність 5,5кВт
Корпус MiniSKiiP® 1
Використання для UPS
інвертор
фотоелектрика
Електричний монтаж Press-Fit
Напруга затвор - емітер ±20В
Струм колектора в імпульсі 45А
Механічний монтаж пригвинчуваний
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat