FF200R12KT4 - Модулі IGBT

FF200R12KT4
  • Категорія: Модулі IGBT
  • Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
  • Назва у виробника: FF200R12KT4HOSA1
Опис

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Електричний монтаж пригвинчуваний
Структура напівпровідника транзистор/транзистор
Механічний монтаж пригвинчуваний
Струм колектора в імпульсі 400А
Напруга затвор - емітер ±20В
Потужність розсіювання 1,1кВт
Зворотна напруга макс. 1,2кВ
Струм колектора 200А
Топологія півмісток IGBT
Корпус AG-62MM-1
Тип напівпровідникового модуля IGBT
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat