AS6C8016-55ZIN - Пристрої SRAM, паралельні

AS6C8016-55ZIN
Опис

IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,7÷5В; 55нс; TSOP44 II

Характеристики
Виробник ALLIANCE MEMORY
Тип інтегральної мікросхеми пам'ять SRAM
Вид пам’яті SRAM
асинхронна
Пам'ять 8Мб SRAM
Структура пам'яті 512Кx16бит
Робоча напруга 2,7...5В
Час доступу 55нс
Корпус TSOP44 II
Тип інтерфейсу паралельний
Монтаж SMD
Властивості інтегральних мікросхем LPC
Ширіна мікросхеми 400mils
Робоча температура -40...85°C
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat