DSEI2X30-10B - Діодні модулі

DSEI2X30-10B
Опис

Module: diode; double independent; 1kV; If: 30Ax2; SOT227B; screw

Характеристики
Виробник IXYS
Тип напівпровідникового модуля діодний
Структура напівпровідника подвійна незалежна
Зворотна напруга макс. 1кВ
Струм провідності 30А x2
Корпус SOT227B
Пряма напруга макс.
Струм в імпульсі макс. 200А
Електричний монтаж пригвинчуваний
Струм провідності макс. 60А
Механічний монтаж пригвинчуваний
Вид упаковки туба
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat