DIF065SIC020-DIO - Транзистори з каналом N THT

DIF065SIC020-DIO
Опис

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 100А; Idm: 300А; 550Вт

Характеристики
Виробник DIOTEC SEMICONDUCTOR
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія SiC
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 650В
Струм стока 100А
Потужність розсіювання 550Вт
Корпус TO247-4
Напруга затвор-джерело -5...18В
Опір в стані провідності 16мОм
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Струм стоку в імпульсі 300А
Властивості напівпровідникових елементів виведення Кельвіна
Заряд затвора 236нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat