DAMI320N100-DCO - Транзисторні модулі MOSFET

DAMI320N100-DCO
Опис

Модуль; одиночний транзистор; 100В; 280А; SOT227B; пригвинчуваний

Характеристики
Виробник DACO Semiconductor
Поляризація польовий
Потужність розсіювання 424Вт
Корпус SOT227B
Структура напівпровідника одиночний транзистор
Електричний монтаж пригвинчуваний
Механічний монтаж пригвинчуваний
Тип напівпровідникового модуля транзисторний MOSFET
Напруга затвор-джерело -20...20В
Опір в стані провідності 2,1мОм
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 280А
Струм стоку в імпульсі 900А
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat