DAMI300N150-DCO - Транзисторні модулі MOSFET

DAMI300N150-DCO
Опис

Модуль; одиночний транзистор; 150В; 180А; SOT227B; пригвинчуваний

Характеристики
Виробник DACO Semiconductor
Корпус SOT227B
Електричний монтаж пригвинчуваний
Поляризація польовий
Структура напівпровідника одиночний транзистор
Механічний монтаж пригвинчуваний
Тип напівпровідникового модуля транзисторний MOSFET
Напруга затвор-джерело -20...20В
Опір в стані провідності 4,5мОм
Струм стока 180А
Струм стоку в імпульсі 1,05кА
Напруга сток-джерело 150В
Потужність розсіювання 320Вт
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat