DAMI280N200-DCO - Транзисторні модулі MOSFET

DAMI280N200-DCO
Опис

Модуль; одиночний транзистор; 200В; 210А; SOT227B; пригвинчуваний

Характеристики
Виробник DACO Semiconductor
Корпус SOT227B
Електричний монтаж пригвинчуваний
Поляризація польовий
Структура напівпровідника одиночний транзистор
Механічний монтаж пригвинчуваний
Тип напівпровідникового модуля транзисторний MOSFET
Робоча температура -55...150°C
Напруга затвор-джерело -20...20В
Опір в стані провідності 6мОм
Струм стока 210А
Струм стоку в імпульсі 850А
Напруга сток-джерело 200В
Потужність розсіювання 800Вт
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat