DAMI160N100-DCO - Транзисторні модулі MOSFET

DAMI160N100-DCO
Опис

Модуль; одиночний транзистор; 100В; 120А; SOT227B; пригвинчуваний

Характеристики
Виробник DACO Semiconductor
Структура напівпровідника одиночний транзистор
Корпус SOT227B
Поляризація польовий
Механічний монтаж пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело -20...20В
Опір в стані провідності 4мОм
Струм стока 120А
Потужність розсіювання 380Вт
Струм стоку в імпульсі 640А
Напруга сток-джерело 100В
Електричний монтаж пригвинчуваний
Тип напівпровідникового модуля транзисторний MOSFET
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat